如果冰箱出现“d5”、“F5”、“H5”、“UC”、“E1”、“E2”、“E3”、“E4”、“E5”、“E6”、“E7”、“E8”、“E21”、“E23”、“E24”、“E26”、“E27”、“E51”、“E52”、“E53”、“E63”、“PC”、“EPC”“FF”等故障代码时，属于通讯故障和误入机器检测模式。建议您将冰箱电源插头拔掉，等10分钟后重新通电再观察。如果通电后仍然报错，属于机器故障，建议您直接三星官网申请报修，由工程师为您上门处理。

三星note4版本区别有哪些

您好，现在内存颗粒主要有以下厂家的产品：

samsung(三星),elpida（尔必达）,hynix,（现代）nanya,（蓝牙）infineon，（英飞凌）

在内存颗粒上都会有用激光蚀刻上去的相应的logo,您可以看得到，具体各个厂家的产品编码序列号的意思可以参考下面的内容：

DDR SDRAM：

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR

SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要

参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &

VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M

4K刷新；56：256M

8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯

片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU

＝MCP（UTC））

12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2

-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数

字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤

其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少

。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）

注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的

LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该

首先排第一位。

LGS的内存编码规则：

GM 72 X XX XX X X X X X XXX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、GM代表LGS公司。

2、72代表SDRAM。

3、V代表3V电压。

4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：

128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。

5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK

7、I／O界面：一般为1

8、产品系列：从A至F。

9、功耗：空白则是普通，L是低功

10、封装模式：一般为T（TSOP）

11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[

一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）

二、HY（现代HYUNDAI）

现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。

HY的编码规则：

HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义：

1、HY代表现代。

2、一般是57，代表SDRAM。

3、工艺：空白则是5V，V是3V。

4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K

刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。

5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。

6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；

7、I／O界面：一般为0

8、产品线：从A－D系列

9、功率：空白则为普通，L为低功耗。

10、封装：一般为TC（TSOP）

11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3）

，10：10NS，12： 12NS，15：15NS

三、SEC（三星SAMSUNG）

做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽

然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是

很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普

通SDRAM参考。

SEC编码规则：

KM4 XX S XX 0 X X XT－XX

1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。

2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。

3、一般均为S

4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。

5、一般均为0

6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK

7、I／O界面：一般为0

8、版本号

9、封装模式：一般为T：TSOP

10、功耗：F低耗，G普通

11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。

四、MT（MICRON美凯龙）

美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的

产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国

的产品略高。

MT48 XX XX M XX AX TG－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表美凯龙MICRON

2、48代表SDRAM。

3、一般为LC：普通SDRAM

4、此数与M后位数相乘即为容量。

5、一般为M

6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位

7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk

8、TG代表TSOP封装模式。

9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：

333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS

10、如有L则为低功耗，空白则为普通。

五、HITACHI（日立HITACHI）

日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还

是不错的！

HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HM代表日立。

2、52代表SDRAM，51则为EDO

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为5

6、产品系列：A－F

7、功耗：L为低耗，空白则为普通

8、TT为TSOP封装模式

9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）

六、SIEMENS（西门子）

西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最

大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的

，产品品质还算不错。

HYB39S XX XX 0 X T X －X

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HYB代表西门子

2、39S代表SDRAM

3、容量

4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位

5、一般为0

6、产品系列

7、一般为T

8、L为低耗，空白为普通

9、速度：

6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS

七、FUJITSU（富士通FUJITSU）

富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，

市场上仅有少量零售产品。

MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN

1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、MB81代表富士通的SDRAM

2、PC100标准的多为F，普通的内存为1

3、容量

4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位

5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK

6、产品系列

7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3

），100：10NS，84： 12NS，67：15NS

八、TOSHIBA（东芝）

东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯

卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。

TC59S XX XX X FT X－XX

1 2 3 4 5 6 7 8

1、TC代表东芝

2、59S代表普通SDRAM

3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT

4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位

5、产品系列：A－B

6、FT为TSOP封装模式

7、空白为普通，L为低功耗

8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）

九、MITSUBISHI（三菱）

三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产

品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为

速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，

因为较贵，所以市场上少见。

M2 V XX S X 0 X TP－XX X

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、M2代表三菱产品

2、I／O界面。一般为V

3、容量

4、一般为S，说明是SDRAM

5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位

6、一般为0

7、产品系列

8、TP代表TSOP封装

9、速度：

8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。

10、空白为普通，L为低耗。

中国大陆上市的三星Galaxy Note4目前有4款机型，分别是N9100、N9106W、N9108V、N9109W其中：

1.N9100为公开版，双卡双待支持移动和联通的2G/3G/4G网络。

2.N9106W是一款联通4G双卡手机，支持联通2G/3G/4G和移动2G网络。

3.N9108V是一款移动4G单卡手机，支持移动2G/3G/4G和联通2G网络。

4.N9109W是一款4G电信双网双待手机，卡槽1支持电信4G/3G/2G，卡槽2支持中国移动和中国联通2G网络；N9109W支持卡2上网。